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可靠性測試服務

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uHAST :高加速溫濕度及偏壓測試

目的:

評估 IC 產品在偏壓下高溫,高濕,高氣壓條件下對濕度的抵抗能力,加速其失效過程。

測試條件:

130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm

失效機制:

電離腐蝕

封裝密封性

uHAST :高加速溫濕度及偏壓測試
THT :恒溫恒濕測試

THT :恒溫恒濕測試

目的:

評估 IC 產品在偏壓下高溫,高濕,高氣壓條件下對濕度的抵抗能力,加速其失效過程。

測試條件:

85℃,85%RH, 500/1000hrs (有時會加偏置電壓,測試稱為THBT)

失效機制:

電離腐蝕

TST:高低溫沖擊試驗

目的:

評估IC 產品中具有不同熱膨脹系數的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環流動的液體從高溫到低溫重復變化。

測試條件:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

失效機制:

電介質的斷裂

材料的老化(如 bond wires)

導體機械變形

TST:高低溫沖擊試驗
TCT :高低溫循環試驗

THT :恒溫恒濕測試

目的:

評估 IC 產品中具有不同熱膨脹系數的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環流動的空氣從高溫到低溫重復變化。

測試條件:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

失效機制:

電介質的斷裂

導體和絕緣體的斷裂

不同界面的分層

可靠性測試服務

PCT 高壓蒸煮試驗 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

目的:

評估 IC 產品在高溫,高濕,高氣壓條件下對濕度的抵抗能力,加速其失效過程。

測試條件:

130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)

失效機制:

化學金屬腐蝕

封裝密封性

PCT 高壓蒸煮試驗 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

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